Издательский дом ООО "Гейм Лэнд"СПЕЦВЫПУСК ЖУРНАЛА ХАКЕР #46, СЕНТЯБРЬ 2004 г.

Загрузи мозги

Крис Касперски aka мыщъх

Спецвыпуск Xakep, номер #046, стр. 046-038-4


Правильные люди не уменьшают RAS# to CAS# Latency, а напротив, увеличивают ее, параллельно с этим наращивая тактовую частоту. В результате, получается наибольший прирост производительности.

tRP

Величина tRP (RAS# Precharge Delay, Precharge to active) определяет время закрытия DRAM-страницы, в процессе которого происходят возврат данных в банк памяти и его перезарядка. Во время перезарядки этот банк недоступен, но доступны все остальные банки (большинство DDR-модулей содержит четыре таких банка). Банк закрывается на перезарядку всякий раз, когда происходит обращение к другой странице из этого же самого банка. При последовательном чтении/записи ячеек значение tRP никак не влияет на производительность. При хаотичном чтении RAS# Precharge снижает быстродействие системы только тогда, когда все запросы оказываются сосредоточены в пределах одного банка, что при правильно выбранном чередовании практически никогда не случается.

Если микросхемы памяти поддерживают режим Auto Precharge и контроллер об этом "знает", то перезаряд начинается сразу же после того, как будет прочитана последняя ячейка DRAM-страницы, в результате чего производительность системы несколько возрастает.

Недостаточно продолжительное время перезарядки приводит к потере оперативных данных и, как следствие, к нестабильной работе компьютера. Рекомендуется выбрать максимальное значение тайминга из всех предлагаемых BIOS'ом, особенно если тактовая частота памяти разогнана сверх номинального.

tRAS

Величина tRAS (DRAM Precharge Delay, Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active Delay, Row Precharge Delay) устанавливает минимальный промежуток времени между открытием/закрытием одной DRAM-страницы. Реальное время хаотичного доступа к одному банку памяти без учета латентности процессора и чипсета: tRC = tRAS + tRP. Если микросхема памяти поддерживает tRAS Lockout feature (режим обхода tRAS; большинство микросхем его поддерживает), то при переключении между DRAM-страницами величина tRAS игнорируется и вместо нее берется tRCD. Если же режим обхода tRAS не поддерживается, уменьшение Precharge Delay слегка ускоряет хаотичный доступ, но злоупотреблять этим не следует, и лучше изменить чередование банков – производительность возрастет и стабильность не пострадает.

Назад на стр. 046-038-3  Содержание  Вперед на стр. 046-038-5