Всемогущий Flash

Докучаев Дмитрий aka Forb

Спецвыпуск Xakep, номер #034, стр. 034-044-4

2.Пакетный доступ. Данные при таком виде доступа читаются параллельно блочным образом. Возможно считывание блока размером от 16 до 32 бит за один раз. После чтения информации в буфер происходит синхронизация блоков, и, в конечном итоге, данные передаются уже последовательно. Такой метод значительно быстрее обычного доступа, но проигрывает ему при чтении определенных ячеек памяти.

3.Страничный доступ. По принципу напоминает пакетный вид, но данные принимаются асинхронно. Размер принимаемой страницы составляет 4-8 байт. Этот вид доступа самый быстрый. Единственный его недостаток – относительно медленное переключение между блоками.

Форматы карт Flash

В последнее время Flash реализуется только на картах. Это обусловлено тем, что этот вид памяти используется, как правило, в таких устройствах, как mp3-плееры, сотовые телефоны, электронные часы, цифровые камеры, различного рода маршрутизаторы и т.д. и т.п. Иными словами, использовать карты Flash намного рациональнее, чем отдельные микросхемы. Естественно, что форматы таких карт различны. Основная классификация дает понятие о Flash с последовательным и параллельным интерфейсом. К последним относятся PC-Card (ATA Flash), CF (Compact Flash), SmartMedia. "Последовательные" карты сейчас не менее популярны: к ним относятся MMC (MultiMedia Card и самый популярный сейчас формат SD-Card.

К сожалению, размер статьи не ползволяет мне подробно описать все эти форматы. Но подобной информации полно в Сети. Куда тебя, с позволения, и отправляю

И в заключение...

Flash-memory еще находится на стадии развития, и неизвестно, что нас ждет через несколько лет. По компьютерным прогнозам, через 5-6 лет произойдет расцвет Flash на полупроводниковом рынке, в результате которого у этого вида энергонезависимой памяти практически не будет конкурентов. Хотя утверждать что-либо с уверенностью еще рано – быть может, будут созданы принципиально новые технологии, против которых не устоит даже Flash...

У PROM дорожки между ячейками были заменены плавкими перемычками, которые могли быть разрушены путем подачи высокого напряжения на микросхему. Таким образом, появляется единственный цикл перезаписи.

В 1971 году Intel выпускает совершенно новую микросхему памяти под аббревиатурой EPROM (Erasable Programmable ROM). Такую микросхему можно было подвергать неоднократной перезаписи.

Наконец в 1984 году компания Toshiba разрабатывает принципиально новый вид памяти под названием Flash. Через четыре года Intel выпускает свой вариант Flash-памяти (поэтому иногда ее создание незаслуженно приписывают этой компании).

В отличие от обычных механических устройств, во флеш-микросхеме отсутствуют разного рода двигательные механизмы.

Процессы перепрожига микросхемы базируются на законах квантовой механики. Если ты не прогуливал скучные пары этого предмета и внимательно слушал препода, ты меня поймешь.

Запись данных во Flash происходит методом инжекции "горячих" электронов, а стирание – методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Ускорить метод туннелирования электронов можно путем подачи дополнительного высокого отрицательного напряжения на управляющий затвор.