Издательский дом ООО "Гейм Лэнд"СПЕЦВЫПУСК ЖУРНАЛА ХАКЕР #34, СЕНТЯБРЬ 2003 г.

Всемогущий Flash

Докучаев Дмитрий aka Forb

Спецвыпуск Xakep, номер #034, стр. 034-044-5


В микросхеме с MLC существует различие величин заряда, который накапливается на “плавающем” затворе, благоря чему информация в ячейке может быть представлена различными битовыми комбинациями.

SmartMedia Flash не имеет никакого контроллера, поэтому сборка карты очень проста (при ее производстве не требуется даже пайка).

Забавно, что до сих пор неизвестно происхождение термина Flash, так как это слово имеет три различных перевода. Соответственно, существует три версии названия памяти:

1. Flash переводится как "короткий кадр". Компания Toshiba дала такое название из-за короткого по времени процесса стирания данных (In da Flash - в мгновение ока).

2. Flashing можно перевести как прожиг, засвечивание. Flash-память по-прежнему прожигается, как и ее предшественники.

3. Третье значение этого слова - блок, кадр. Запись/стирание такой памяти осуществляется блоками.

Метод инжекции “горячих” электронов определяется простыми законами и уравнениями квантовой механики, главным из которых является уравнение Фаулера-Нордгейма (именно он придумал инжекцию). Оно записывается в виде Jox=A*E^2*exp(-Eo/E), где Jox – туннельный ток инжекции, А – константы, E – напряженность электрического поля.

Хотя Flash и лидирует на компьютерном рынке, ее могут вытеснить другие новые технологии. Например, новейшая память на кремниевых нанокристаллах. Отличие такой памяти от Flash в следующем: подложка между стоком и истоком теперь состоит из кремниевых нанокристалльных сфер. Такая прослойка предотвращает передачу заряда с одного нанокристалла на другой, повышая таким образом надежность - один дефект не ведет к полному сбою, как в нынешней энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающим затвором. Первый в мире работоспособный образец такой памяти был предоставлен компанией Motorola.

Назад на стр. 034-044-4  Содержание